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HM2505C	文件：475.24 Kbytes Page：9 Pages	Single channel 3.0-15.0V peak 15.0A H-bridge driver chip	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
IIRL2505	文件：338.31 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF2505	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: ?Fastswitchingtimes ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Excellenthighvoltagestability ?Lowinputcapacitance ?Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: ?Switchingpowersupplies ?Motorcontrols ?AudioAmplifiers ?Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRF2505	文件：435.69 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNellIRF250isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof30A,fastswitchingspeed,lowon-stateresistance,breakdownvoltageratingof200V,andmax.thresholdvoltageof4volts. Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepo	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
IRF2505	文件：84.86 Kbytes Page：2 Pages	50Wto500WHIGHPOWERWIREWOUNDRESISTORSFLATSHAPEDALUMINUMHOUSED	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
IRF2505	文件：137.76 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRds(on))athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
IRF2505	文件：57.99 Kbytes Page：7 Pages	30A,200V,0.085Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisdesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motor	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF2505	文件：22.05 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF2505	文件：215.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRds(on) ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highvoltage)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRL2505	文件：178.32 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
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IRL2505L	文件：178.32 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRL2505LPBF	文件：288.6 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
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IRL2505S	文件：178.32 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
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IRL2505S/L	文件：178.32 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
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