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IRF6602

DirectFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

LA6602V

I-VAmplifierforMiniDiscDrives

Features ?TheLA6602VisoptimalasaninterfaceICbetweenthePDandservoICsusedinMDPUmodules. ?Eightbufferamplifierchannels ?On-chiplow-noisehigh-bandwidthamplifierRFblock

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

LCE6602

NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LCE6602N

NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LM6602

NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LTC6602

DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC6602CUF-PBF

DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC6602CUF-TRPBF

DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC6602IUF-PBF

DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC6602IUF-TRPBF

DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HIP6602BCBZ-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    14-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HIP6602BCBZ-T供應(yīng)商 更新時間2025-6-22 11:22:00

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