HCTS02D中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
HCTS02D規(guī)格書詳情
Features
? 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS
? Total Dose 200K RAD(Si)
? SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg
? Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/
Bit-Day (Typ)
? Dose Rate Survivability: >1 x 1012 Rads (Si)/s
? Dose Rate Upset >1010 RAD(Si)/s 20ns Pulse
? Latch-Up Free Under Any Conditions
? Military Temperature Range: -55oC to +125oC
? Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs
? DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V
? LSTTL Input Compatibility
- VIL = 0.8V Max
- VIH = VCC/2 Min
? Input Current Levels Ii ? 5?A at VOL, VOH
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
HCTS02D
- 制造商：
INTERSIL
- 制造商全稱：
Intersil Corporation
- 功能描述：
Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
H |
21+ |
CDIP |
645 |
航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方! |
詢價(jià) | ||
H |
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CDIP |
63 |
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詢價(jià) | ||
H |
23+ |
CDIP |
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23+ |
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詢價(jià) | ||||
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詢價(jià) | ||
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原廠原包裝 |
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詢價(jià) | ||
H |
18+ |
CDIP |
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詢價(jià) | ||
H |
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詢價(jià) |
