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HCT802中文資料TT電子公司數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HCT802
廠商型號

HCT802
功能描述

Dual Enhancement Mode MOSFET
文件大小

249.93 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 TT Electronics.
企業(yè)簡稱

TTELEC【TT電子公司】

中文名稱

梯梯電子集成制造服務(蘇州)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-4 19:09:00
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HCT802規(guī)格書詳情

Description:

HCT802 offers an N‐Channel and P‐Channel MOS transistor in a herme?c ceramic surface mount package. The devices used are similar to industry standards 2N6661 N‐Channel device and VP1008 P‐Channel device. These two enhancement mode MOSFETS are par?cularly well matched for VDS, IDS(on), RDS(on) and Gfs.

Features:

? 6 pad surface mount package

? VDS = 90V

? RDS(on) < 5Ω

? ID(on) N-Channel = 1.5A | P-Channel = 1.1A

? Two devices selected for VDS ID(on) and RDS(on) similarity

? Full TX Processing Available

? Gold plated contacts

Applications:

? Drivers: Solid State Relays, Lamps, Solenoids, Displays, Memories, etc.

? Motor Control

? Power Supply Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    HCT802

  • 功能描述：

    MOSFET DEM Mosfet

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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