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HBE102MBBSFCKR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：徑向，圓片式類別：電容器陶瓷電容器描述：CAP CER 1000PF 2KV RADIAL	TS T&S Brass. All Rights Reserved.	TS
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HBZ102	文件：269.18 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
HBZ102BBKR	文件：259.839 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
HC102	文件：92.58 Kbytes Page：1 Pages	TieMount	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
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HDB102G	文件：322.05 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedBridgeHighEfficientRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司	TSC
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HDB102G	文件：243.89 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedBridgeHighEfficientRectifiers Features ◇Glasspassivatedjunction ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmolded plastictechnique ◇Hightemperaturesolderingguaranteed: 260°C/10seconds/0.375”(9.5mm) leadlengthat5lbs.,(2.3kg)tension ◇Smallsize,simplei	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
HDBL102G	文件：142.98 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedHighEfficientBridgeRectifiers Features ◇ULRecognizedFile#E-326854 ◇Glasspassivatedjunction ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique ◇Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10seconds/0.375(9.5mm)leadlengthat5lbs.,(2.3kg)tension ◇Highsu	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司	TSC
HDBL102G	文件：370.77 Kbytes Page：4 Pages	1A,50V-1000VGlassPassivatedHighEfficientBridgeRectifiers	TMTTaiwan Memory Technology 凱鈺科技凱鈺科技股份有限公司	TMT
HDBLS102G	文件：139.08 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedHighEfficientBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司	TSC
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HDBS102G	文件：121.1 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedBridgeHighEfficientRectifier50to1000Volts Features ·HighForwardSurgeCapability ·Idealforprintedcircuitboards ·HighTemperatureSoldering:250oCfor10seconds ·Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique MaximumRatings ·OperatingTemperature:-55°Cto+150°C ·StorageTemperature:	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
HDBS102G	文件：109.6 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedBridgeHighEfficientRectifiers Features ◇ULRecognizedFile#E-96005 ◇Glasspassivatedjunction ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmolded plastictechnique ◇Hightemperaturesolderingguaranteed: 260°C/10seconds/0.375”(9.5mm) leadlengthat5lbs.,(2.3kg	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司	TSC

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
HBE102MBBSFCKR
制造商：
Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
類別：
電容器 > 陶瓷電容器
系列：
HBE
包裝：
卷帶（TR）
容差：
±20%
電壓 - 額定：
2000V（2kV）
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
特性：
高電壓
應用：
通用
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
徑向，圓片式
大小 / 尺寸：
0.276" 直徑（7.00mm）
高度 - 安裝（最大值）：
0.394"（10.00mm）
引線間距：
0.295"（7.50mm）
引線樣式：
直形
描述：
CAP CER 1000PF 2KV RADIAL

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多HBE102MBBSFCKR供應商更新時間2024-10-25 17:47:00

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