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HAS2009	文件：3.6214 Mbytes Page：1 Pages	Hall closed loop current sensor	YHDCBeijing Yaohuadechang Electronic Co., Ltd. 德昌電氣設(shè)備德昌電氣設(shè)備有限公司	YHDC
IPP-2009	文件：78.08 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINECOUP	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
IPT-2009	文件：96.18 Kbytes Page：2 Pages	ICReferenceDesignTransformers	ICE ice Components, Ins.	ICE
JAO2009	文件：866.46 Kbytes Page：1 Pages	Currentmonitoringswitch	YHDCBeijing Yaohuadechang Electronic Co., Ltd. 德昌電氣設(shè)備德昌電氣設(shè)備有限公司	YHDC
KBP2009G	文件：959.75 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBIRIDGERECTIFIERS FEATURES ?ULRecognizedFile#E469616 ?Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique ?Idealforprintedcircuitboard ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowreverseleakagecurrent ?Highsurgecurrentcapability	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 廣東鉅興電子廣東鉅興電子科技有限公司	JUXING
KIT2009A	文件：156.98 Kbytes Page：4 Pages	PhotoInterrupter	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
KSR2009	文件：32.88 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingApplication SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit ?BuiltinbiasResistor(R=4.7K?) ?ComplementtoKSR1009	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSR2009	文件：56.29 Kbytes Page：2 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit ?BuiltinbiasResistor(R=4.7K?) ?ComplementtoKSR1009	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
LBE2009S	文件：126.01 Kbytes Page：16 Pages	NPNmicrowavepowertransistors DESCRIPTION TheLBE2003SandLBE2009SareNPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistorsinaSOT441Ametalceramicstudlesspackage.TheLCE2009SisamaintenancetypeinaSOT442Ametalceramiccapstanpackage. FEATURES ?Diffusedemitterballastingresistors ?Self-alignedprocess	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
LCE2009S	文件：126.01 Kbytes Page：16 Pages	NPNmicrowavepowertransistors DESCRIPTION TheLBE2003SandLBE2009SareNPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistorsinaSOT441Ametalceramicstudlesspackage.TheLCE2009SisamaintenancetypeinaSOT442Ametalceramiccapstanpackage. FEATURES ?Diffusedemitterballastingresistors ?Self-alignedprocess	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
MA2009	文件：383.16 Kbytes Page：9 Pages	1.2MHz2A,HighVoltage,BoostConverte	MPOWERMajor-Power Technology Co., LTD. 久昌科技久昌科技股份有限公司	MPOWER
MA2009C	文件：383.16 Kbytes Page：9 Pages	1.2MHz2A,HighVoltage,BoostConverte	MPOWERMajor-Power Technology Co., LTD. 久昌科技久昌科技股份有限公司	MPOWER
MA2009CA	文件：383.16 Kbytes Page：9 Pages	1.2MHz2A,HighVoltage,BoostConverte	MPOWERMajor-Power Technology Co., LTD. 久昌科技久昌科技股份有限公司	MPOWER
MAX2009	文件：525.61 Kbytes Page：19 Pages	1200MHzto2500MHzAdjustableRFPredistorter GeneralDescription TheMAX2009adjustableRFpredistorterisdesignedtoimprovepoweramplifier(PA)adjacent-channelpowerrejection(ACPR)byintroducinggainandphaseexpansioninaPAchaintocompensateforthePA’sgainandphasecompression.Withits+23dBmmaximuminputpowerleveland	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX2009ETI-T	文件：525.61 Kbytes Page：19 Pages	1200MHzto2500MHzAdjustableRFPredistorter GeneralDescription TheMAX2009adjustableRFpredistorterisdesignedtoimprovepoweramplifier(PA)adjacent-channelpowerrejection(ACPR)byintroducinggainandphaseexpansioninaPAchaintocompensateforthePA’sgainandphasecompression.Withits+23dBmmaximuminputpowerleveland	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX2009EVKIT	文件：527.87 Kbytes Page：11 Pages	MAX2009/MAX2010EvaluationKits	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MC2009	文件：97.93 Kbytes Page：2 Pages	622MbpsPre-Amplifier	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MC2009	文件：97.93 Kbytes Page：2 Pages	622MbpsPre-Amplifier	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
MD2009DFP	文件：268.54 Kbytes Page：10 Pages	HighvoltageNPNpowertransistorforCRTTV	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
MD2009DFX	文件：225.46 Kbytes Page：10 Pages	HighvoltageNPNPowertransistorforstandarddefinitionCRTdisplay Description TheMD2009DFXismanufacturedusingDiffusedCollectorinPlanarTechnologyadoptingnewandenhancedhighvoltagestructure.ThenewMDproductseriesshowimprovedsiliconefficiencybringingupdatedperformancetotheHorizontalDeflectionstage. Generalfeatures ■State-of-the-a	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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更多HAS2009供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 15:55:00

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