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HAF1002S中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HAF1002S
廠商型號(hào)

HAF1002S

功能描述

Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching

文件大小

97.05 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 22:30:00

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HAF1002S規(guī)格書詳情

Description

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit opertion to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.

Features

? Logic level operation (–4 to –6 V Gate drive)

? High endurance capability against to the short circuit

? Built-in the over temperature shut-down circuit

? Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HAF1002S

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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