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H5N2007LSTL-E

包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：MOSFET N-CH HS SW TO-263

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

H5N2007FN

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N2007FN-E

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    H5N2007LSTL-E

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    25A（Tj）

  • 描述：

    MOSFET N-CH HS SW TO-263

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
21+
TO263
200
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
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07+
TO263
200
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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2023+
TO263
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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原裝正品現(xiàn)貨
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TO-3P
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更多H5N2007LSTL-E供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 14:02:00

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