H11D1中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
H11D1規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The H11DX and 4N38 are phototransistor-type optically coupled optoisolators. An infrared emitting diode manufactured from specially grown gallium arsenide is selectively coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
FEATURES
? High Voltage
- H11D1, H11D2, BVCER = 300 V
- H11D3, H11D4, BVCER = 200 V
? High isolation voltage
- 5300 VAC RMS - 1 minute
- 7500 VAC PEAK - 1 minute
? Underwriters Laboratory (UL) recognized File# E90700
APPLICATIONS
? Power supply regulators
? Digital logic inputs
? Microprocessor inputs
? Appliance sensor systems
? Industrial controls
產(chǎn)品屬性
- 型號：
H11D1
- 功能描述：
晶體管輸出光電耦合器 HV Phototransistor
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 輸入類型：
DC
- 最大集電極/發(fā)射極電壓：
70 V
- 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：
0.4 V
- 絕緣電壓：
5300 Vrms
- 電流傳遞比：
100 % to 200 %
- 最大正向二極管電壓：
1.65 V
- 最大輸入二極管電流：
60 mA
- 最大集電極電流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作溫度：
+ 110 C
- 最小工作溫度：
- 55 C
- 封裝/箱體：
DIP-4
- 封裝：
Bulk
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild |
600 |
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詢價 | ||||
QTC |
23+ |
SOP-6 |
9280 |
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詢價 | ||
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22+ |
DIP-6 |
20000 |
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VISHAY |
13+ |
DIP6 |
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原裝 |
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Vishay |
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