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GTVA261701FA-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz

Description TheGTVA261701FAisa170-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency,and athermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features ?GaNonSiCHEMT

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

GTVA261701FA-V1-R2

包裝：帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：GAN SIC

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GTVA261701FA-V1-R2

  • 制造商：

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 描述：

    GAN SIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Wolfspeed, Inc.
24+
NA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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原廠封裝
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83271744鄒小姐
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WOLFSPEED
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原裝原裝原裝
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Cree/Wolfspeed
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Infineon
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只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多GTVA261701FA-V1-R2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-30 14:14:00

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