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GTVA220701FA-V1-R0

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 70 W, 50 V, 1805 – 2170 MHz

Description TheGTVA220701FAisa70-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency, andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features ?GaNonSiCHEMT

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

GTVA220701FA-V1-R0

包裝：散裝 封裝/外殼：H-37265J-2 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：RF SIC HEMT 70W,1805 - 2170MHZ

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    GTVA220701FA-V1-R0

  • 制造商：

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 系列：

    GaN

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    HEMT

  • 頻率：

    1.805GHz ~ 2.17GHz

  • 增益：

    22dB

  • 功率 - 輸出：

    70W

  • 封裝/外殼：

    H-37265J-2

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    H-37265J-2

  • 描述：

    RF SIC HEMT 70W,1805 - 2170MHZ

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Wolfspeed, Inc.
24+
H-37265J-2
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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Cree/Wolfspeed
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更多GTVA220701FA-V1-R0供應(yīng)商 更新時間2024-11-17 14:14:00

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