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GTRA362002FC-V1-R0

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 200 W, 48 V, 3400 – 3600 MHz

Description TheGTRA362002FCisa200-watt(P3dB)GaNonSiChighelectronmobilitytransistor(HEMT)designedforuseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency,anda thermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features ?GaNon

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

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更多GTRA362002FC-V1-R0供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-15 10:53:00

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