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GT60M323

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT60M323

SiliconNChannelIGBTVoltageResonanceInverterSwitchingApplication

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT60M323

TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

VoltageResonanceInverterSwitchingApplication ?Enhancementmodetype ?Highspeed:tf=0.09μs(typ.)(IC=60A) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.3V(typ.)(IC=60A) ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?TO-3P(LH)(Toshibapackagename)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    GT60M323(Q)

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 IGBT, 900V, 60A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
11+
50
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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TOSHIBA/東芝
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TO264
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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2022
TO264
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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更多GT60M323(Q)供應商 更新時間2025-1-15 17:11:00