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GT30N135SRA,S1E

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    GT30N135SRA,S1E

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,60A

  • 開關(guān)能量:

    -,1.3mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件:

    300V,60A,39 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A

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更多GT30N135SRA,S1E供應(yīng)商 更新時間2025-2-19 9:06:00