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HAT3029R	文件：136.18 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFETsandIGBTforPDP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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HAT3029R	文件：3.78135 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelandP-ChannelMOSFETuseadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
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ISB3029	文件：577.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistorPowerModule DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=450V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=16A APPLICATIONS ·WeldingEquipment ·MotorControl ·SMPS ·UPS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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更多GT3029供應(yīng)商更新時間2024-11-16 14:26:00

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