GT10J312中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
廠商型號(hào) |
GT10J312 |
參數(shù)屬性 | GT10J312 封裝/外殼為T(mén)O-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
功能描述 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
文件大小 |
295.12 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會(huì)社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-17 20:00:00 |
GT10J312規(guī)格書(shū)詳情
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
● Third-generation IGBT
● Enhancement mode type
● High speed : tf = 0.30μs (Max.)
● Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.)
● FRD included between emitter and collector
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
GT10J312(Q)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,10A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
400ns/400ns
- 測(cè)試條件:
300V,10A,100 歐姆,15V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220SM
- 描述:
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
NA/ |
988 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
2022 |
TO220 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
22+23+ |
TO220 |
9806 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
22+ |
TO263 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | |||
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
TO-263 |
6000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
TOS |
24+ |
TO-220 |
1200 |
詢價(jià) | |||
20+ |
TO220 |
65300 |
一級(jí)代理/放心購(gòu)買! |
詢價(jià) | |||
TOSHIBA/東芝 |
22+ |
TO220F |
28657 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
2022 |
TO220 |
1300 |
原廠原裝正品,價(jià)格超越代理 |
詢價(jià) |