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GT100P06D5A中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GT100P06D5A
廠商型號(hào)

GT100P06D5A

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

GT100P06

封裝外殼

DFN5X6-8L

文件大小

584.3 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-30 17:31:00

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GT100P06D5A規(guī)格書詳情

Description

The GT100P06D5A uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

AEC-Q101 Qualified

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
銀茂微
23+
MODULE
4500
專營(yíng)國(guó)產(chǎn)功率器件
詢價(jià)
HAMAT
23+
SIP
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢價(jià)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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