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GRM32ER72A225KA35L電容器的陶瓷電容器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
GRM32ER72A225KA35L |
參數(shù)屬性 | GRM32ER72A225KA35L 封裝/外殼為1210(3225 公制);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為電容器的陶瓷電容器;GRM32ER72A225KA35L應(yīng)用范圍:通用;產(chǎn)品描述:CAP CER 2.2UF 100V X7R 1210 |
功能描述 | Airfast RF Power GaN Transistor |
封裝外殼 | 1210(3225 公制) |
文件大小 |
207.73 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-1 23:00:00 |
人工找貨 | GRM32ER72A225KA35L價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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GRM32ER72A225KA35L規(guī)格書詳情
This 24 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station
applications covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.
Features
? High terminal impedances for optimal broadband performance
? Designed for low complexity linearization systems
? Universal broadband driver
? Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
GRM32ER72A225KA35L
- 制造商:
Murata Electronics
- 類別:
電容器 > 陶瓷電容器
- 系列:
GRM
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 容差:
±10%
- 電壓 - 額定:
100V
- 溫度系數(shù):
X7R
- 工作溫度:
-55°C ~ 125°C
- 應(yīng)用:
通用
- 安裝類型:
表面貼裝,MLCC
- 封裝/外殼:
1210(3225 公制)
- 大小 / 尺寸:
0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
- 厚度(最大值):
0.106"(2.70mm)
- 描述:
CAP CER 2.2UF 100V X7R 1210
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MURATA/村田 |
24+ |
SMD |
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詢價(jià) | ||
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MURATA/村田 |
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MURATA/村田 |
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MURATA/村田 |
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