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GRM32ER61H106KA12L

RF Power LDMOS Transistor N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFET

This93WasymmetricalDohertyRFpowerLDMOStransistorisdesignedfor cellularbasestationapplicationscoveringthefrequencyrangeof1427to 1517MHz. Features ?Advancedhighperformancein?packageDoherty ?Greaternegativegate?sourcevoltagerangeforimprovedClassCoperation

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

GRM32ER61H106KA12L

RF Power LDMOS Transistors

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs These32WRFpowerLDMOStransistorsaredesignedforcellularbase stationapplicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidthcapability coveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. Features ?DesignedforWideInstantaneousBandwidt

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

GRM32ER61H106KA12L

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 封裝/外殼：1210（3225 公制） 類別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 10UF 50V X5R 1210

Murata Electronics

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GRM32ER61H106KA12L

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 封裝/外殼：1210（3225 公制） 類別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 10UF 50V X5R 1210

Murata Electronics

Murata Electronics

Murata Electronics

GRM32ER61H106KA12

ChipMonolithicCeramicCapacitors

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    GRM32ER61H106KA12L

  • 制造商：

    Murata Electronics

  • 類別：

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列：

    GRM

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 容差：

    ±10%

  • 電壓 - 額定：

    50V

  • 溫度系數(shù)：

    X5R

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 85°C

  • 應用：

    通用

  • 安裝類型：

    表面貼裝，MLCC

  • 封裝/外殼：

    1210（3225 公制）

  • 大小 / 尺寸：

    0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）

  • 厚度（最大值）：

    0.106"（2.70mm）

  • 描述：

    CAP CER 10UF 50V X5R 1210

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價
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更多GRM32ER61H106KA12L供應商 更新時間2024-11-7 23:00:00

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