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GQM2195C2ER60BB12D

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

GQM2195C2ER60BB12D

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

GQM2195C2ER60BB12D

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:0805(2012 公制) 類別:電容器 陶瓷電容器 描述:CERAMIC CAP MLCC HIGH-Q 125C

Murata Electronics

Murata Electronics

Murata Electronics

GQM2195C2ER60BB12D

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:0805(2012 公制) 類別:電容器 陶瓷電容器 描述:CERAMIC CAP MLCC HIGH-Q 125C

Murata Electronics

Murata Electronics

Murata Electronics

GQM2195C2ER60BB12

CeramicCapacitors(SMD)

MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd

村田村田制作所

GQM2195C2ER60BB12

1805–2200MHz,107WAVG.,48VAIRFASTRFPOWERGaNTRANSISTOR

Features ?Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance ?Advancedhighperformancein--packageDoherty ?AbletowithstandextremelyhighoutputVSWRandbroadbandoperating conditions

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    GQM2195C2ER60BB12D

  • 制造商:

    Murata Electronics

  • 類別:

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列:

    GQM

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 電壓 - 額定:

    250V

  • 溫度系數(shù):

    C0G,NP0

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低損耗

  • 應(yīng)用:

    RF,微波,高頻

  • 安裝類型:

    表面貼裝,MLCC

  • 封裝/外殼:

    0805(2012 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)

  • 厚度(最大值):

    0.039"(1.00mm)

  • 描述:

    CERAMIC CAP MLCC HIGH-Q 125C

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多GQM2195C2ER60BB12D供應(yīng)商 更新時間2024-12-24 23:00:00