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GPR-30H10D

3 0 0 - 3 7 5 WAT T L I N E A R

POWERBOX

Powerbox manufactures

30H10K

N-ChannelTrenchPowerMOSFET

FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd.

富滿微富滿微電子集團股份有限公司

MBR30H10PT

DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier

DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowerpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Hig

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

NCE30H10

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

NCE30H10

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE30H10BG

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE30H10BGusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcan beusedinawidevarietyofapplications. Application ●Powerswitchingapplication ●Hardswitchedandhighfrequencycircuits ●Uninterruptiblepowersuppl

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE30H10BK

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE30H10BKusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=100A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE30H10G

N-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

NCE30H10G

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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更多GPR-30H10D供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 10:20:00