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GJ60L02	文件：243.86 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
60L02GJ	文件：959.93 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
60L02H	文件：1.01797 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
60L02J	文件：959.92 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
60L02S	文件：1.01491 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP60L02GJ	文件：83.63 Kbytes Page：6 Pages	LowGateChargeSimpleDriveRequirement Description TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP60L02GJ)isavailableforlow-profileapplications. ▼LowGateCharge ▼SimpleDriv	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP60L02GP	文件：81.66 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-263packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedf	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP60L02GS	文件：81.66 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-263packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedf	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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AP60L02S	文件：81.29 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-263packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedfo	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER

詳細參數(shù)

型號：
GJ60L02
制造商：
GTM
制造商全稱：
GTM
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	GJ60L02	GTM	23+	NA	39960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳科宇泰科技有限公司	GJ6142-04P-1A	XIANYI	21+	標準封裝	1322	進口原裝,訂貨渠道!	詢價
上海金慶電子技術(shù)有限公司	GJ61555C1H100JB01E	MURATA	新		7000	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市安羅世紀電子有限公司	GJ61555C1H100JB01E	MURATA	2023+	SMD	230000	安羅世紀電子只做原裝正品貨	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	GJ61555C1H150JB01E	MUR	23+	NA	336486	專做原裝正品,假一罰百!	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	GJ61555C1H3R9CB01E	MURATA/村田	23+	SMD	100000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市嘉合泰電子有限公司	GJ615SJC1H1ROCB01D	MURATA/村田	25+	SMD	8650000		詢價
深圳市德力誠信科技有限公司	GJ6240UH	PANDUIT	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	GJ6679	G	TO-252	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
深圳市星宇佳科技有限公司	GJ6679	GTM	10PB	TO252	2800		詢價

更多GJ60L02供應(yīng)商更新時間2025-3-18 18:00:00

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