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GH5210-LF	文件：548.66 Kbytes Page：2 Pages	Supports 16 pairs of category 5 UTP cable	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
GW5210	文件：142.08 Kbytes Page：2 Pages	CameraVideoProcessor GW52x0Features ?eWARPGeometricProcessor ?120dBHDRISP ?GraphicsOverlayEngine ?AEC-Q100Grade2 ?ASIL-B Applications ?Backupcameras ?RearvieweMirror ?SidevieweMirror ?Surroundviewmonitoring ?CarDigitalVideoRecorder ?Headupdisplay(HUD)	INDIE indie Semiconductor	INDIE
GXB5210	文件：204.31 Kbytes Page：13 Pages	AntennaEmbeddedGPSReceiverModule	SonySONY 索尼索尼	Sony
HG5210-LF	文件：419.29 Kbytes Page：2 Pages	DesignedforlonghaulgigabitEthernet1000BASE-T,fullduplexapplications.	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
HS5210	文件：2.32939 Mbytes Page：3 Pages	12-BitAdjustmentFreeADCs	APITECH API Technologies Corp	APITECH
IIRF5210	文件：334.13 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF5210	文件：125.28 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210	文件：738.7 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF5210	文件：334.13 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF5210L	文件：186.9 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210L	文件：272.32 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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IRF5210LPBF	文件：696.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210LPBF	文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210PBF	文件：194.51 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210S	文件：186.9 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210S	文件：296.67 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF5210S	文件：998.16 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch100VFastSwitchingMOSFETs 100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable SuperLowGateCharge ExcellentCdV/dteffectdecline AdvancedhighcelldensityTrenchtechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRF5210SPBF	文件：696.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210SPBF	文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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更多GH5210-LF供應商更新時間2024-11-16 14:16:00

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