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GD25LQ256D集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

GD25LQ256D
廠商型號

GD25LQ256D
參數(shù)屬性

GD25LQ256D 封裝/外殼為8-WDFN 裸露焊盤；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
功能描述

MCU
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
封裝外殼

8-WDFN 裸露焊盤
文件大小

4.30145 Mbytes
頁面數(shù)量

28 頁
生產(chǎn)廠商 GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.
企業(yè)簡稱

GigaDevice【兆易創(chuàng)新】

中文名稱

北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-4 19:09:00
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GD25LQ256D規(guī)格書詳情

GD25LQ256D屬于集成電路（IC）的存儲器。由北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司制造生產(chǎn)的GD25LQ256D存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    GD25LQ256DYIGR

  • 制造商：

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    256Mb（32M x 8）

  • 存儲器接口：

    SPI - 四 I/O

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    2.4ms

  • 電壓 - 供電：

    1.65V ~ 2V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-WSON（6x8）

  • 描述：

    IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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