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GD25LD10CEIG集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

GD25LD10CEIG
廠商型號(hào)

GD25LD10CEIG

參數(shù)屬性

GD25LD10CEIG 封裝/外殼為8-XFDFN 裸露焊盤(pán);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC FLSH 1MBIT SPI/DUAL I/O 8USON

功能描述

Uniform Sector Standard and Dual Serial Flash
IC FLSH 1MBIT SPI/DUAL I/O 8USON

封裝外殼

8-XFDFN 裸露焊盤(pán)

文件大小

890.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

42 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

GigaDevice兆易創(chuàng)新

中文名稱(chēng)

北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-5 17:27:00

GD25LD10CEIG規(guī)格書(shū)詳情

GD25LD10CEIG屬于集成電路(IC)的存儲(chǔ)器。由北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司制造生產(chǎn)的GD25LD10CEIG存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性?xún)煞N,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線(xiàn)、SPI、UFS、Xccela 總線(xiàn)和 1-線(xiàn)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GD25LD10CEIGR

  • 制造商:

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    SPI - 雙 I/O

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    55μs,6ms

  • 電壓 - 供電:

    1.65V ~ 2V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-XFDFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-USON(2x3)

  • 描述:

    IC FLSH 1MBIT SPI/DUAL I/O 8USON

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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