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GA35XCP12-247分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GA35XCP12-247 |
| 參數(shù)屬性 | GA35XCP12-247 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V SOT247 |
| 功能描述 | IGBT/SiC Diode Co-pack |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
397.35 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GeneSiC Semiconductor, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
GENESIC |
| 中文名稱 | GeneSiC Semiconductor, Inc.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-22 17:57:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
GA35XCP12-247
- 制造商：
GeneSiC Semiconductor
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，35A
- 開關(guān)能量：
2.66mJ（開），4.35mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 測試條件：
800V，35A，22歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AB
- 描述：
IGBT 1200V SOT247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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