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G21001

RF POWER GAN TRANSISTOR

Polyfet

Polyfet RF Devices

GEMBR2100T

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勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

GF-2100

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瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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GMV2100

SurfaceMountVaractorDiodes

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

GRF2100

Low-currentLNA0.1??.8GHz

GUERRILLA

Guerrilla RF, Inc.

GRF2100W

LOW-CURRENTLNA0.1to3.8GHz

FEATURES FlexibleBiasVoltageandCurrent InternallyMatchedto50Ω Process:GaAspHEMT Compact1.5x1.5mmDFN-6Package Reference:3.3V/15mA/2.5GHz Gain:16.5dB OIP3:19dBm OP1dB:10dBm EvaluationBoardNoiseFigure:0.8dB TestedtoAEC-Q100Grade2 100DeviceReflowat

GUERRILLA

Guerrilla RF, Inc.

GS2100EMI

GORE-SHIELD?GS2100EMIGasketisaconductive,adhesivebacked,EMIgasketingmaterialthatismoderatelysoftandisapprovedforspaceflightandmilitaryapplications.

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

GS2100M

GS2100MLowPower,HighSpeed802.11b/g/nmoduleSmartEnergy,CostOptimized

FEATURES: SEP2.0SmartEnergyDeviceTypes: oSmartThermostat oLoadControl 316-bitSigma-DeltaADCsforsensorsandmeasurement IEEE802.11b/g/nconnectivitywithPHYratesupto72Mbps LimitedAP,Wi-FiDirectwithconcurrentmode,WPS2.0 UART,SPI,SDIOinterfacetomicrocontrolle

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更多G2100供應商 更新時間2025-1-25 16:50:00

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