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G20N60B3D中文資料仙童半導體數據手冊PDF規(guī)格書

G20N60B3D
廠商型號

G20N60B3D

功能描述

40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

文件大小

179.52 Kbytes

頁面數量

7

生產廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-1 18:35:00

G20N60B3D規(guī)格書詳情

The HGTG20N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25℃ and 150℃. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRP3060.

Features

? 40A, 600V at TC = 25℃

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at 150℃

? Short Circuit Rated

? Low Conduction Loss

? Hyperfast Anti-Parallel Diode

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