首頁>FZ800R12KE3HOSA1>詳情

FZ800R12KE3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 INFINEON/英飛凌

FZ800R12KE3參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：FZ800R12KE3品牌：INFINEON

原裝正品 假一罰十 公司現(xiàn)貨

FZ800R12KE3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝主營模塊/模塊的FZ800R12KE3晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào)：

    FZ800R12KE3

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大小：

    1609.08 kb

  • 資料說明：

    62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FZ800R12KE3HOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列：

    C

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 配置：

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.15V @ 15V，800A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MOD 1200V 800A 3550W

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生(公司為一般納稅人,可開13%增票)

  • 手機(jī)：

    18823845059

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    188-2384-5059【只做原裝●一諾千金】

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道紅荔路上步工業(yè)區(qū)501棟402室

相近型號(hào)