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FZ2400R33HE4分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
![FZ2400R33HE4](https://img.114ic.com/dgk/Photos/Infineon%20Photos/FZ2400R33HE4BPSA1.jpg)
廠商型號 |
FZ2400R33HE4 |
參數(shù)屬性 | FZ2400R33HE4 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES |
功能描述 | IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode |
封裝外殼 | 模塊 |
文件大小 |
807.7 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-16 9:39:00 |
FZ2400R33HE4規(guī)格書詳情
FZ2400R33HE4屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FZ2400R33HE4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
FZ2400R33HE4BPSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 系列:
IHM-B
- 包裝:
托盤
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 配置:
單開關
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.65V @ 15V,2.4kA
- 輸入:
標準
- NTC 熱敏電阻:
無
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應商器件封裝:
AG-IHVB190-3
- 描述:
HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
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