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FZ1800R12HE4_B9

IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FZ1800R12HE4_B9

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT 1200V 1800A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
英飛凌
新批次
N/A
1500
詢價
英飛凌
24+
IGBT
6000
只有原裝
 詢價
1950+
980
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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infineon
24+
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Infineon/英飛凌
21+
AG-IHMB190-2
8800
公司只作原裝正品
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Infineon/英飛凌
21+
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6000
原裝現(xiàn)貨正品
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Infineon/英飛凌
21+
AG-IHMB190-2
10000
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Infineon/英飛凌
2021+
AG-IHMB190-2
9600
原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價
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Infineon/英飛凌
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AG-IHMB190-2
25000
原裝正品,假一賠十!
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Infineon/英飛凌
2023+
AG-IHMB190-2
6000
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
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更多FZ1800R12HE4_B9供應(yīng)商 更新時間2024-12-29 16:18:00

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