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FXT618中文資料ZETEX數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FXT618
廠商型號(hào)

FXT618

功能描述

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

文件大小

410.93 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Zetex Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ZETEX

中文名稱

Zetex Semiconductors官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-23 11:10:00

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FXT618規(guī)格書詳情

FEATURES

* 10A Peak pulse current

* Excellent hFE characteristics up to10A (pulsed)

* Extremely low saturation voltage e.g. 7mV typ.

* IC cont 3.5A

APPLICATIONS

* Power MOSFET gate driver in conjunction with

complementary ZTX718

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FXT618

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT -

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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