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FX-888D	文件：2.36251 Mbytes Page：15 Pages	The temperature was measured using the FG-100 thermometer.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
HMD888J	文件：151.35 Kbytes Page：4 Pages	DiplexerforWirelessLAN(2.4GHz/5GHz)	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 雙信電機(jī)雙信電機(jī)株式會社	SOSHIN
HSIB888-BGA	文件：914.2 Kbytes Page：1 Pages	SupportsVGAandLVDS2xRealtek8111DLPCI-EGigabitLAN	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
KIT_XC888_SK	文件：19.83 Kbytes Page：1 Pages	SK-XC886/888CLMStarterKit	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
MAX888ECJ	文件：257.019 Kbytes Page：20 Pages	WirelessandSatelliteHandsetPower-ManagementICs GeneralDescription TheMAX886/MAX888/MAX1863power-managementICsarecompletepowersystemsforwirelessandsatellitehandsets.Thedevicesoperatefrom3-to6-cellNiCd/NiMHbatteriesorfrom1-or2-celllithium-ion(Li+)batteries.Theyincorporateahigh-efficiency,step-downDC-DCconver	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MZ888	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
N888	文件：107.62 Kbytes Page：9 Pages	HIGHCURRENT,HIGHPERFORMANCE,LOWVOLTAGEPNPTRANSISTOR Description ThedeviceismanufacturedinlowvoltagePNPPlanarTechnologybyusinga“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■VERYLOWCOLLECTORTOEMITTERSATURATIONVOLTAGE ■D.C.CURRENTGAI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
NTE888	文件：25.95 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLowPowerProgrammableOperationalAmplifier Description: TheNTE888Misanoperationalamplifierinan8–LeadDIPtypepackagefeaturinglowpowerconsumptionandhighinputimpedance.Inaddition,thequiescentcurrentswithinthisdevicemaybeprogrammedbythechoiceofanexternalresistorvalueorcurrentsourceappliedtotheISETi	NTE NTE Electronics	NTE
NTE888M	文件：25.95 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLowPowerProgrammableOperationalAmplifier Description: TheNTE888Misanoperationalamplifierinan8–LeadDIPtypepackagefeaturinglowpowerconsumptionandhighinputimpedance.Inaddition,thequiescentcurrentswithinthisdevicemaybeprogrammedbythechoiceofanexternalresistorvalueorcurrentsourceappliedtotheISETi	NTE NTE Electronics	NTE
RGB888	文件：2.38124 Mbytes Page：60 Pages	DisplayController	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
SFS888	文件：146.05 Kbytes Page：2 Pages	20AMPS15-200VOLTSSILICONCONTROLLEDRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SIR888DP	文件：136.2 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel25-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIS888DN	文件：209.14 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SN888C	文件：434.02 Kbytes Page：22 Pages	Bus-PolarityCorrectingRS-485TransceiverforE-Meters	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
SN888CD	文件：434.02 Kbytes Page：22 Pages	Bus-PolarityCorrectingRS-485TransceiverforE-Meters	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
SN888CDR	文件：434.02 Kbytes Page：22 Pages	Bus-PolarityCorrectingRS-485TransceiverforE-Meters	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
STD888	文件：127.73 Kbytes Page：6 Pages	HIGHCURRENT,HIGHPERFORMANCE,LOWVOLTAGEPNPTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedinlowvoltagePNPPlanarTechnologybyusingaBaseIslandlayout. TheresultingTransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. ■VERYLOWCOLLECTORTOEMITTERSATURATIONVOLTAGE ■DCCURRENTGAIN,hFE>100	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STD888	文件：227.61 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-0.7V(Max)(IC=-5A;IB=-0.25A) ?DCCurrentGain-hFE=150(Min)@IC=-0.5A ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications ?Voltageregulat	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STD888	文件：132.29 Kbytes Page：3 Pages	HIGHCURRENT,HIGHPERFORMANCE,LOWVOLTAGEPNPTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCSTD888isahighcurrent,highperformance,lowvoltagePNPtransistor;itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomershighDCcurrentgainandverylowsaturationvoltage. TheUTCSTD888issuitableforswitchingregulatorinbatterychargerapplications,heavyload	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
STN888	文件：107.62 Kbytes Page：9 Pages	HIGHCURRENT,HIGHPERFORMANCE,LOWVOLTAGEPNPTRANSISTOR Description ThedeviceismanufacturedinlowvoltagePNPPlanarTechnologybyusinga“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■VERYLOWCOLLECTORTOEMITTERSATURATIONVOLTAGE ■D.C.CURRENTGAI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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上海金慶電子技術(shù)有限公司	FX888D-29BY/P	AMERICANHAKKOPRODUCTSINC	新		45	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
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更多FX-888D供應(yīng)商更新時間2024-10-31 16:05:00

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