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FS660R08A6P2FB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FS660R08A6P2FB
廠商型號(hào)

FS660R08A6P2FB

參數(shù)屬性

FS660R08A6P2FB 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:HYBRID PACK DRIVE

功能描述

HybridPACK? Drive Module
HYBRID PACK DRIVE

封裝外殼

模塊

文件大小

6.16808 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-29 23:00:00

FS660R08A6P2FB規(guī)格書詳情

FS660R08A6P2FB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FS660R08A6P2FB晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

Electrical Features

?Blocking voltage 750V

?Low VCEsat

?Low Switching Losses

?Low Qg and Crss

?Low Inductive Design

?Tvj op = 150°C

?Short-time extended Operation Temperature

Tvj op = 175°C

Mechanical Features

?4.2kV DC 1sec Insulation

?High Creepage and Clearance Distances

?Compact design

?High Power Density

?Copper Base Plate

?Guiding elements for PCB and cooler assembly

?Integrated NTC temperature sensor

?PressFIT Contact Technology

?RoHS compliant

?UL 94 V0 module frame

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FS660R08A6P2FBBPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    HybridPACK?

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.35V @ 15V,450A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    AG-HYBRIDD-1

  • 描述:

    HYBRID PACK DRIVE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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