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FS200R07A1E3分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FS200R07A1E3 |
| 參數(shù)屬性 | FS200R07A1E3 封裝/外殼為模塊；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊；產品描述：IGBT MOD 650V 250A 790W |
| 功能描述 | IGBT-modules |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 文件大小 |
326.49 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-15 8:38:00 |
FS200R07A1E3規(guī)格書詳情
FS200R07A1E3屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產的FS200R07A1E3晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產品屬性
更多- 產品編號：
FS200R07A1E3BOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
散裝
- 配置：
三相反相器
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，200A
- 輸入：
標準
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應商器件封裝：
模塊
- 描述：
IGBT MOD 650V 250A 790W
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
18+ |
IGBT |
450 |
只做原裝現(xiàn)貨 實力支持實單 |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
IGBT |
2158 |
公司大量全新正品 隨時可以發(fā)貨 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
AG-HYBRIDL-1 |
6000 |
我們只做原裝正品,支持檢測。 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
18+ |
IGBT模塊 |
3600 |
原裝正品，支持實單 |
詢價 | ||
Infineon |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
AGHYBRIDL1 |
7350 |
現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
AG-HYBRIDL-1 |
6000 |
詢價 | ||||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
AG-HYBRIDL-1 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
K-J |
27 |
只有原裝,請來電咨詢 |
詢價 |
