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FQP19N10中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQP19N10
廠商型號

FQP19N10

功能描述

100V N-Channel MOSFET

文件大小

591.13 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 8:58:00

FQP19N10規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as audio amplifier, high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.

Features

? 19A, 100V, RDS(on) = 0.1? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 19 nC)

? Low Crss ( typical 32 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

? 175°C maximum junction temperature rating

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQP19N10

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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