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FQD18N20V2	文件：615 Kbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD18N20V2	文件：305.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQD18N20V2	文件：737.24 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD18N20V2	文件：754.08 Kbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD18N20V2	文件：737.24 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET MOSFET 200 V, 15 A, 140 mOhm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD18N20V2TM	文件：824.66 Kbytes Page：6 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ?VDS=200V,ID=24A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FQD18N20V2_09	文件：754.08 Kbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD18N20V2_13	文件：737.24 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD18N20V2TM	文件：737.24 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET MOSFET 200 V, 15 A, 140 mOhm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD18N20V2TM	文件：1.01028 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
FQP18N20V2	文件：302.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQP18N20V2	文件：793.14 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF18N20V2	文件：793.14 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF18N20V2	文件：278.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU18N20V2	文件：615 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU18N20V2	文件：330.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU18N20V2	文件：737.24 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET200V,15A,140mOhm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU18N20V2	文件：737.24 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSMD18N20V2	文件：1.51932 Mbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU18N20V2	文件：1.51932 Mbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

詳細參數(shù)

型號：
FQD18N20V2
制造商：
Fairchild Semiconductor Corporation
功能描述：
MOSFET N D-PAK
功能描述：
MOSFET, N, D-PAK
功能描述：
MOSFET, N, D-PAK; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
15A; Drain Source Voltage
Vds：
200V; On Resistance
Rds(on)：
140mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
5V; Power Dissipation
Pd：
2.5W ;RoHS
Compliant：
Yes

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市匯萊威科技有限公司	FQD18N20V2	ON/安森美	24+	TO-252	505348	免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
深圳市星佑電子有限公司	FQD18N20V2	仙童	06+	TO-252	8000	原裝	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FQD18N20V2	FAIRCHILD	24+	TO-252(DPAK)	8866		詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	FQD18N20V2	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
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更多FQD18N20V2供應(yīng)商更新時間2024-10-25 17:06:00

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