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FPF2C110BI07AS2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
FPF2C110BI07AS2 |
| 參數(shù)屬性 | FPF2C110BI07AS2 封裝/外殼為30-DIP 模塊；包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 650V 40A 300W F2 |
| 功能描述 | F2, Boost and Inverter module with Press-fit |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | F2 / 30-DIP 模塊 |
| 文件大小 |
1.2755 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-29 23:00:00 |
| 人工找貨 | FPF2C110BI07AS2價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多FPF2C110BI07AS2規(guī)格書(shū)詳情
FPF2C110BI07AS2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FPF2C110BI07AS2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱(chēng)式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
FPF2C110BI07AS2
- 制造商：
onsemi
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
散裝
- 配置：
半橋
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，40A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
30-DIP 模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
F2
- 描述：
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
7350 |
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詢價(jià) | ||
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30-DIP 模塊 |
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3 |
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詢價(jià) | ||
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兩年內(nèi) |
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630 |
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詢價(jià) | ||
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23+ |
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7300 |
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