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FMMT413TD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

FMMT413TD
廠商型號

FMMT413TD

參數(shù)屬性

FMMT413TD 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3

功能描述

SOT23 NPN silicon planar avalanche transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

151.35 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES美臺半導(dǎo)體

中文名稱

美臺半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-9 20:26:00

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FMMT413TD規(guī)格書詳情

Description

The FMMT413 is a NPN silicon planar bipolar transistor optimized for avalanche mode operation. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high current pulses with fast edges, ideal for laser diode driving.

Features

? Avalanche mode operation

? 50A peak avalanche current

? Low inductance packaging

Applications

? Laser LED drivers

? Fast edge generation

? High speed pulse generators

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FMMT413TD

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN 雪崩模式

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 1mA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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