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FMMT411FDBW-7_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)-PAM

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原廠料號：FMMT411FDBW-7品牌：Diodes Incorporated

資料說明：SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020

FMMT411FDBW-7是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商PAM/Diodes Incorporated生產(chǎn)封裝3-UDFN 裸露焊盤的FMMT411FDBW-7晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號：

    fmmt411fdbw-7

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    PAM詳情

  • 廠商全稱：

    Diodes Incorporated

  • 資料說明：

    SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FMMT411FDBW-7

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    100mV @ 1mA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 10mA，10V

  • 頻率 - 躍遷：

    110MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-UDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    W-DFN2020-3（A 型）

  • 描述：

    SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Diodes Incorporated
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3-UDFN 裸露焊盤
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