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FMI16N50E	文件：435.39 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMI16N50ES	文件：542 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FML16N50ES	文件：476.06 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMP16N50E	文件：484.77 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMP16N50ES	文件：536.79 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMV16N50E	文件：429.11 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMV16N50ES	文件：534.81 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FQA16N50	文件：438.39 Kbytes Page：8 Pages	OptimizedSwitchforDiscontinuousCurrentModePowerFactorCorrection	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQA16N50	文件：362.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQA16N50	文件：754.87 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET Features ?16A,500V,RDS(on)=0.32?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical60nC) ?LowCrss(typical35pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQAF16N50	文件：719.3 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET 500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQAF16N50	文件：420.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IRFB16N50K	文件：169.76 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IXFA16N50P	文件：331.66 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA16N50P	文件：221.5 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiperFETPowerMOSFET PolarHV?HiperFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?AvalancheRated ?FastIntrinsicDiode ?LowPackageInductance Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applications ?S	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA16N50P	文件：333.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FMI16N50E
制造商：
FUJI
制造商全稱：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	FMI16N50E	F	23+	T-PACK(L)	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FMI16N50E	F	22+	T-PACK(L)	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	FMI16N50E	FUJI		原廠封裝	1000	一級(jí)代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	FMI16N50E	F	22+	T-PACK(L)	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市星辰微電科技有限公司	FMI16N50E	FUJI/富士電機(jī)	23+	N/A	11550	FUJI/富士電機(jī)系列在售	詢價(jià)
深圳市芯皇電子有限公司	FMI16N50E	FUJI/富士電機(jī)	23+	N/A	9000	專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FMI16N60E	FUJI/富士電機(jī)	23+	TO262	125810	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	FMI45D		24+		246	現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)

更多FMI16N50E供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-18 10:05:00

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