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FMBM5551

NPNGeneralPurposeAmplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FMBM5551

NPNGeneral-PurposeAmplifier

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FMBS5551

NPNGeneralPurposeAmplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FMBT5551

600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor

600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features ?Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=140V~160V@IC=1mA) ?Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltage amplifiersandgasdischargedisplaydriving ?Epitaxialplanardieconstruction ?ComplememntaryPN

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

FMMT5551

SOT23NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTORS

PARTMARKINGDETAILS-FMMT5550-1FZ FMMT5551-ZG1 COMPLEMENTARYTYPES-FMMT5550-FMMT5400 FMMT5551-FMMT5401

Zetex

Zetex Semiconductors

GES5551

SILICONTRANSISTORS

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

GES5551

SiliconTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

GL5551

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

GL5551

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

ETLE-Tech Electronics LTD

亞歷電子亞歷電子有限公司

GM5551

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FMB5551_Q

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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十年配單,只做原裝
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更多FMB5551_Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 14:00:00

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