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FMC10N60E	文件：642.92 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMC10N60E	文件：333.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.79Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FMI10N60E	文件：622.3 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMP10N60E	文件：614.45 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMV10N60E	文件：555.41 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FQA10N60C	文件：631 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQA10N60C	文件：362.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.73Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQB10N60C	文件：614.17 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQI10N60C	文件：614.17 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP10N60	文件：65.36 Kbytes Page：1 Pages	600VN-ChannelMOSFET	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
FQP10N60C	文件：1.02071 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP10N60C	文件：835.79 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtomini-mizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperfor-mance,andwithstandhighenergypul	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP10N60C	文件：1.19884 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP10N60C	文件：1.026619 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductor?sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformanc	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FQP10N60C	文件：302.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.73Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQP10N60CF	文件：934.68 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP10N60CF	文件：940.45 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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詳細參數(shù)

型號：
FMA10N60ESC-P
制造商：
Fuji Electric

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市威爾健半導體有限公司	FMA10N60E貼片三極管	FUJITSU/富士通	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市一線半導體有限公司	FMA11	ROHM	24+	SOT-153SOT-23-5	30200	新進庫存/原裝	詢價
深圳兆威電子有限公司	FMA11	ROHM	23+	SOT-153	63000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	FMA11		ROHM	SOT-153	68900	原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	FMA11	ROHM	1309+PBF	SOT-153	2530	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市賽美科科技有限公司	FMA11	ROHM		SOT-153	16000	一級代理原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨	詢價
深圳市特萊科技有限公司	FMA11	ROHM/羅姆	24+23+	SOT-153SMT5SC-74ASOT	12580	16年現(xiàn)貨庫存供應商終端BOM表可配單提供樣品	詢價
深圳市得捷芯城科技有限公司	FMA11	ROHM/羅姆	23+	NA/	3000	優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	FMA11,HSMS-8205,KRA306E-RTK/P	SOT-153	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價
深圳市銘威達電子科技有限公司	FMA1-12025WBHT12				878	原裝現(xiàn)貨	詢價

更多FMA10N60ESC-P供應商更新時間2024-11-18 10:59:00

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