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FM9610B

1A synchronous mobile power IC

FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd.

富滿微富滿微電子集團股份有限公司

HF9610

HERMETICALLYSEALEDLATCHINGRELAY

HONGFAHongfa Technology

宏發(fā)電聲廈門宏發(fā)電聲股份有限公司

IRF9610

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9610

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRF9610

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9610

PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=3.0ohm,Id=-1.8A)

Description TheHEXFETtechnologyisthekeytointernationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. ?Dynamic

IRF

International Rectifier

IRF9610

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheTO-220p

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9610

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-1.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF9610PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheTO-220p

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9610PBF

HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=-200V,RDS(on)=3.0廓,ID=-1.8A)

IRF

International Rectifier

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更多FM9610B供應商 更新時間2025-3-23 16:11:00

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