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FJNS3209R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

FJNS3209R
廠商型號(hào)

FJNS3209R

參數(shù)屬性

FJNS3209R 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 短體;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 短體

文件大小

33.05 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-28 18:06:00

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FJNS3209R規(guī)格書詳情

Switching Application (Bias Resistor Built In)

? Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit

? Built in bias Resistor (R=4.7K?)

? Complement to FJNS4209R

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FJNS3209RTA

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 短體

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92S

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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