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FJB3307DTM分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

FJB3307DTM
廠商型號

FJB3307DTM
參數(shù)屬性

FJB3307DTM 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為剪切帶（CT）帶盒（TB）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 400V 8A D2PAK
功能描述

High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
TRANS NPN 400V 8A D2PAK
文件大小

374.98 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-27 16:20:00

FJB3307DTM規(guī)格書詳情

FJB3307DTM屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的FJB3307DTM晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

Features

? Built-in Diode between Collector and Emitter

? Suitable for Electronic Ballast and Switch-Mode Power Supplies

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    FJB3307DTM

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 2A，8A

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    5 @ 5A，5V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    D2PAK（TO-263）

  • 描述：

    TRANS NPN 400V 8A D2PAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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