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FGY100T120SWD中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FGY100T120SWD
廠商型號

FGY100T120SWD

功能描述

IGBT - Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII (FS7), Non-SCR, TO247-3L 1200 V, 1.7 V, 100 A

文件大小

286.35 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-22 23:00:00

FGY100T120SWD規(guī)格書詳情

Description

Using the novel field stop 7th generation IGBT technology and the

Gen7 Diode in TO247 3?lead package, FGY100T120SWD offers the

optimum performance with low switching and conduction losses for

high?efficiency operations in various applications like Solar, UPS,

and ESS.

Features

? Maximum Junction Temperature TJ = 175°C

? Positive Temperature Coefficient for Easy Parallel Operation

? High Current Capability

? Smooth and Optimized Switching

? Low Switching Loss

? RoHS Compliant

Applications

? Boost and Inverter in Solar System

? UPS

? Energy Storage System

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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TO247
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