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FGW15N40A

StrobeFlashN-ChannelLogicLevelIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MGB15N40CL

IgnitionIGBT15Amps,410VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGB15N40CL

IgnitionIGBT15Amps,410Volts

InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGC15N40CL

InternallyClampedN-ChannelIGBT

InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGP15N40CL

InternallyClampedN-ChannelIGBT

InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGP15N40CL

IgnitionIGBT15Amps,410VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGP15N40CL

IgnitionIGBT15Amps,410Volts

InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGP15N40CLG

IgnitionIGBT15Amps,410VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTH15N40

N-ChannelEnhancementModesiliconGateTMOS

TMOSPOWERFETs15AMPERES rDS(on)=0.3OHM350and400VOLTS N-ChannelEnhancementModesiliconGateTMOS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTH15N40

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FGS15N40LTU

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

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更多FGS15N40LTU供應(yīng)商 更新時間2025-2-21 16:41:00

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