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FGPF50N30T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGPF50N30T
廠商型號

FGPF50N30T

參數(shù)屬性

FGPF50N30T 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 300V 46.8W TO220F

功能描述

300V, 50A PDP IGBT

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

568.74 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 19:02:00

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FGPF50N30T規(guī)格書詳情

General Description

Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential.

Features

? High current capability

? Low saturation voltage: VCE(sat) =1.4V @ IC = 30A

? High input impedance

? Fast switching

? RoHS compliant

Applications

? PDP System

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FGPF50N30TTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 15V,15A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220F-3

  • 描述:

    IGBT 300V 46.8W TO220F

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