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FGP10N60UNDF	文件：819.57 Kbytes Page：9 Pages	600V, 10A Short Circuit Rated IGBT GeneralDescription UsingadvancedNPTIGBTtechnology,Fairchild’stheNPTIGBTsoffertheoptimumperformanceforlow-powerinverterdrivenapplicationswherelow-lossesandshort-circuitruggednessfeaturesareessential,suchassewingmachine,CNC,motorcontrolandhomeappliances. Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGP10N60UNDF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT NPT 600V 20A TO220-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FGPF10N60UNDF	文件：826.35 Kbytes Page：9 Pages	600V,10AShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FIR10N60AFG	文件：2.09687 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司	FOSTER
FIR10N60FG	文件：3.06259 Mbytes Page：7 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET-G	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司	FOSTER
FM10N60	文件：122.5 Kbytes Page：2 Pages	FM10N6010Amps600VoltageN-ChannelPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
FMC10N60E	文件：642.92 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMC10N60E	文件：333.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.79Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FMI10N60E	文件：622.3 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMP10N60E	文件：614.45 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMV10N60E	文件：555.41 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FQA10N60C	文件：631 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQA10N60C	文件：362.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.73Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQB10N60C	文件：614.17 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQI10N60C	文件：614.17 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP10N60	文件：65.36 Kbytes Page：1 Pages	600VN-ChannelMOSFET	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
FQP10N60C	文件：1.02071 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP10N60C	文件：835.79 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtomini-mizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperfor-mance,andwithstandhighenergypul	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP10N60C	文件：1.19884 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP10N60C	文件：1.026619 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductor?sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformanc	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
FGP10N60UNDF
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
NPT
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.45V @ 15V，10A
開關能量：
150μJ（開），50μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
8ns/52.2ns
測試條件：
400V，10A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應商器件封裝：
TO-220-3
描述：
IGBT NPT 600V 20A TO220-3

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FGP10N60UNDF	onsemi(安森美)	23+	TO-220	1471	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務	詢價
深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司	FGP10N60UNDF	ON			1406	原裝正品老板王磊+13925678267	詢價
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	FGP10N60UNDF	ONSEMI/安森美	2410+	TO-220-3	80000	原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.	詢價
深圳市千科宇科技有限公司	FGP10N60UNDF	ON/安森美	19+	SOP8	6041	正規(guī)渠道原裝正品	詢價
深圳市達恩科技有限公司	FGP10N60UNDF	ONSemiconductor	18+	NA	3402	進口原裝正品優(yōu)勢供應QQ3171516190	詢價
深圳市納立科技有限公司	FGP10N60UNDF		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價
深圳市興燦科技有限公司	FGP10N60UNDF	ON/安森美	24+	TO-220-3	25500	授權代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	FGP10N60UNDF	Fairchild	1930+	N/A	310	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	FGP10N60UNDF	ON/安森美	2021+	SMD	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
深圳市科雨電子有限公司	FGP10N60UNDF	ON	1809+	TO220-3	3675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價

更多FGP10N60UNDF供應商更新時間2025-1-6 11:12:00

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